三星电子宣布开发出业内首款基于第三代10nm级工艺的DRAM内存芯片，在业界内首次达到了这个成绩，此时距离三星大规模生产第二代10nm级8GB DDR4 DRAM芯片仅仅过去了16个月。
根据三星给出的信息，第三代DDR4 DRAM也就是1z-nm级，相比此前的1y-nm在生产效率上有了20%的提升，可以更好地满足现在日益增长的市场对内存芯片的需求，而且工艺的进步也会带来效能的提升，同样的存储体积下，1z-nm能带来更加优秀的耗电情况和执行效率。
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三星电子已经明确表示会在今年下半年实现量产，成品的8GB DDR4模组也在验证中，目标领域是下一代企业级服务器和2020年的高端PC产品。
